Diffusion Et Défauts Ponctuels Dans Les Semi Conducteurs | B. Boltaks

Depuis la parution de l'édition russe de ce livre, un si grand nombre de nouvelles études de la diffusion dans les semi-conducteurs a vu le jour, qu’il était probablement impossible de se référer à toutes lors de la préparation de l’édition française. D’ailleurs, un grand nombre de ces publications est passé en revue dans l’excellente monographie « Diffusion atomique dans les semi-conducteurs » publiée récemment sous la direction de D. Shaw. 11 nous a cependant semblé utile d’apporter quelques compléments à certains chapitres de notre ouvrage, à savoir, aux chapitres VI, VIII, XII, XIV, XV. Ces compléments concernent non seulement de nouvelles données sur la diffusion des impuretés dans les semi-conducteurs, mais aussi les questions restant en suspens et nécessitant des recherches supplé­mentaires. Parmi celles-ci notons avant tout les questions relatives à l ’influence des irradiations sur la diffusion des impuretés dans les semi-conducteurs.

Je tiens à apporter mes remerciements à mes collaborateurs et à mes élèves I. Démoskov, V. Nistiriouk, V. Pokoéva, E. Sokine, ainsi qu’à mon honorable collègue P. Malkovitch, candidat èssciences physiques, qui ont tous apporté une appréciable contribution à l’ana­ lyse et à la rédaction de ces compléments.

Je remercie également le professeur S. Medvédev, qui a bien voulu se charger de la traduction de ce livre.

 Traduit du russe par S. Medvédev