Technologie Et Construction Des Circuits Intégrés | A. Bérézine, O. Motchalkina

Le présent ouvrage d’enseignement est le dernier des trois volu­ mes constituant le manuel de microélectronique publié en langue française par les Editions Mir de Moscou 1). Il est consacré à une étu­ de plus approfondie des questions concernant les Bases technologi­ ques de la microélectronique et les Composants des circuits intégrés

[1] et traite également des problèmes de la réalisation pratique des microcircuits intégrés après la synthèse de leurs structure et schéma électrique [2].

Etant donné le développement rapide de la technologie et de la construction des CI, et l’apport constant d’innovations aux procédés technologiques et de construction, toutes les méthodes modernes de conception et de réalisation des CI ne sont pas encore exposées de manière exhaustive dans la littérature, en premier lieu, dans les ouvrages d’enseignement [3 à 27]. Les questions relatives à la techno­logie et à la construction des CI hybrides sont étudiées de façon assez complète [3, 4]. Les méthodes d’obtention des composantes de dimensions submicroniques et les méthodes d’attaque par plasma ionique et par plasma chimique des couches ne sont pas, quant à el­ les, suffisamment élaborées (v. par exemple [4, 51). En outre, cer­ tains aspects très importants de la construction des CI, tels que le cal­ cul des dimensions géométriques des transistors bipolaires en fonc­tion de leurs caractéristiques électriques et des particularités de structure, le calcul du gain d’amplification d’un transistor compte

tenu des effets dus à un dopage fort de la région d’émetteur, l’opti­misation de la structure et la détermination des dimensions géomé­triques des diodes et transistors Schottky, l’analyse du lien existant entre les caractéristiques électrophysiques de la plaquette de semiconducteur et de la structure des transistors MOS, d’une part, et leurs paramètres électriques, d’autre part, l’évaluation de l’influen­ce parasite due aux lignes de métallisation et aux interconnexions 1) Les deux premiers sont Principes de la microélectronique par I. Stépanenko (publié en 1983) et Technique de synthèse des circuits intégrés par A. Alexenko, I, Chagourine (publié en 1986).

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 à plusieurs niveaux, les particularités que présente 1’élaboration de la topologie des circuits intégrés à transistors MOS, les traits spé­cifiques des éléments de base utilisés pour la réalisation des circuits intégrés à haut niveau d’intégration (LSI) et les particularités de leur conception assistée par ordinateur (GAO), sont exposés de ma­ nière incomplète.

Tous ces aspects qui revêtent la plus haute importance pour la réalisation pratique des circuits LSI et VLSI modernes sont étudiés dans le présent ouvrage.

Ce manuel est destiné aux étudiants initiés aux principes de la microéléctronique. Il sera tout aussi utile aux ingénieurs qui s’occu­ pent de la conception et de la fabrication des CI.

Les chapitres 1 à 9 ont été rédigés par O. Motchalkina, les chapi­ tres 10 à 17 et l’annexe, par A. Bérésine, l’avant-propos, par les deux auteurs.

Les auteurs tiennent à remercier très vivement les professeurs V. Labounov et Y. Ermolaév dont les précieux conseils ont contribué à améliorer le contenu du présent ouvrage. Ils manifestent en outre leur gratitude au feu professeur I. Stépanenko qui a assuré la ré­daction du manuscrit, ainsi qu’aux collaborateurs de la chaire de microélectronique de l’institut des ingénieurs physiciens de Moscou qui ont apporté leur aide lors de la préparation du manuscrit à la publication.